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集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）最新報(bào)告1Q17 Micro LED次世代顯示技術(shù)市場會員報(bào)告表示，Micro LED關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展方向涵蓋四大面向，包含磊晶與芯片技術(shù)、轉(zhuǎn)移技術(shù)、鍵結(jié)技術(shù)（Bonding）、彩色化方案等。

 轉(zhuǎn)移技術(shù)

薄膜轉(zhuǎn)移的核心技術(shù)在于如何大量的抓取微米等級的薄膜磊晶，現(xiàn)階段的抓取方式大致上可以區(qū)分為以物理特性去做抓取方式，或是以化學(xué)材料去做抓取。以物理性的抓取為例，LuxVue采取透過靜電力吸附微小組件的方式。而化學(xué)性的抓取以X-Celeprint為代表，利用Elastomer Stamp為介質(zhì)，并且利用凡德瓦力來做抓取。除此之外，還有許多廠商各自開發(fā)許多種抓取方式。

薄膜轉(zhuǎn)移的另一項(xiàng)核心技術(shù)在于如何去選擇想要抓取的微米等級的薄膜磊晶，例如多數(shù)采用抓取力量的大小來控制想要選取的目標(biāo)，例如前述提到的透過靜電力，或是凡德瓦力，并針對想要特定抓取的目標(biāo)施予不同程度的能量來做選擇。除此之外，SONY也利用雷射燒灼的方式，來選取特定的目標(biāo)目標(biāo)。

最后，一般用于封裝前將LED芯片內(nèi)部電路用金線與基板做連接與電路導(dǎo)通。但是由于Micro LED的芯片過于微小，已經(jīng)沒有辦法用ㄧ般的金屬打線方式來與基板結(jié)合，因此需要用其他的方式來與基板做集合。因此未來的技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)在于拿何種材料來進(jìn)行接合與轉(zhuǎn)移。